长江存储宣布研发成功我国首款128层3D NAND闪存芯片

来源:中国证券报·中证网 作者:不详 发布时间:2020-4-13 9:18:28
【提要】中证网讯(记者吴科任)4月13日上午,紫光集团旗下长江存储宣布其128层QLC3DNAND闪存(型号:X2-6070)研发成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。它是全球首款128层QLC规格的3DNAND闪存芯片,也是我国首款128层3DN

  中证网讯(记者 吴科任)4月13日上午,紫光集团旗下长江存储宣布其128层QLC 3D NAND闪存(型号:X2-6070)研发成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。它是全球首款128层QLC规格的3D NAND闪存芯片,也是我国首款128层3D NAND闪存芯片。

  据了解,X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。同时发布的还有128层512Gb TLC(3 bit/cell)规格闪存芯片(型号:X2-9060),以满足不同应用场景的需求。

  长江存储市场与销售高级副总裁龚翊表示:“作为闪存行业的新人,长江存储用短短3年时间实现了从32层到64层再到128层的跨越。这既是数千长存人汗水的凝聚,也是全球产业链上下游通力协作的成果。随着Xtacking? 2.0时代的到来,长江存储有决心、有实力、有能力开创一个崭新的商业生态,让我们的合作伙伴可以充分发挥他们自身优势,达到互利共赢。” 

  得益于Xtacking?架构对3D NAND控制电路和存储单元的优化,长江存储64层TLC产品在存储密度、I/O性能及可靠性上都有不俗表现。

  长江存储介绍,在128层系列产品中,Xtacking?架构(2018年8月发布)已全面升级至2.0,进一步释放3D NAND闪存潜能。在I/O读写性能方面,X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq电压下实现1.6Gbps的数据传输速率,为当前业界最高。由于外围电路和存储单元分别采用独立的制造工艺,CMOS电路可选用更先进的制程,同时在芯片面积没有增加的前提下Xtacking?2.0还为3D NAND带来更佳的扩展性。 

  龚翊强调:“我们相信,长江存储128层系列产品将会为合作伙伴带来更大的价值,具有广阔的市场应用前景。其中,128层QLC 版本将率先应用于消费级SSD,并逐步进入企业级服务器、数据中心等领域,以满足未来5G、AI时代多元化数据存储需求。”


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